IPW65R190CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPW65R190CFD7AXKSA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3 |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $4.69 |
10+ | $4.215 |
100+ | $3.4531 |
500+ | $2.9396 |
1000+ | $2.4792 |
2000+ | $2.3552 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 320µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO247-3 |
Serie | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 6.4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 77W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Tube |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1291 pF @ 400 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 14A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPW65R190 |
650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET
HIGH POWER_NEW
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
N-CHANNEL POWER MOSFET
INF TO-247
IPW65R190 - 650V AND 700V COOLMO
N-CHANNEL AUTOMOTIVE MOSFET
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MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPW65R190CFD7AXKSA1Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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